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Chanzon IRF520N TO-220AB NMOS MOS N-Channel Power MOSFET Transistor, semiconductores de potencia de alto rendimiento (paquete de 10 unidades) disponible en Yaxa El Salvador

Chanzon IRF520N TO-220AB NMOS MOS N-Channel Power MOSFET Transistor, semiconductores de potencia de alto rendimiento (paquete de 10 unidades)

Categoría: Transistores MOSFET

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Precio y disponibilidad de Chanzon IRF520N TO-220AB NMOS MOS N-Channel Power MOSFET Transistor, semiconductores de potencia de alto rendimiento (paquete de 10 unidades)

$37

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Información de Chanzon IRF520N TO-220AB NMOS MOS N-Channel Power MOSFET Transistor, semiconductores de potencia de alto rendimiento (paquete de 10 unidades)

Descripción detallada +

Descripción del producto: Este MOSFET de potencia HEXFET de canal N está diseñado para aplicaciones de alta potencia, con un paquete TO-220 que es universalmente preferido para usos comerciales e industriales de hasta 50 vatios. Con su baja resistencia térmica y diseño rentable, garantiza una disipación de calor eficiente y una amplia aceptación de la industria. Características principales: - Corriente continua de drenaje (ID): Hasta 9.7A a 77.0 °F, 6.8A a 212.0 °F - Disipación de potencia (PD) a 77.0 °F: 48W - Resistencia térmica: Conexión a caja (RθJC) °F °F/W, Caso-a-fregadero (RθCS) °F °F/W - Temperatura de unión de funcionamiento: -55 a +347.0 °F - Rango de temperatura de almacenamiento: -55 a+347.0 °F - Calificaciones máximas absolutas: - Voltaje de puerta a fuente (VGS): ±20V - Calificaciones de energía de avalancha: pulso único (EAS) - 91mJ, repetitivo (EAR) - 4.8mJ - Características de conmutación: - Tiempo de retardo de encendido (td (encendido)): típicamente 4.5ns - Tiempo de subida (tr): Normalmente 23ns - Tiempo de retardo de apagado (td (apagado)): típicamente 32ns - Tiempo de otoño (tf): Normalmente 23ns - Características del diodo: - Voltaje directo del diodo (VSD): típicamente 1.3V a 77.0 °F, IS = 5.7A, VGS = 0V - Tiempo de recuperación inversa (trr): 99 a 150ns - Clasificaciones de capacitancia: - Capacitancia de entrada (Ciss): Hasta 330pF - Capacitancia de salida (Coss): 92pF - Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 54nH a 1.0MHz Paquete: TO-220AB Par de montaje: 10 lbfin (1.1Nm) para tornillo 6-32 o M3 Temperatura de soldadura: 572.0 °F durante 10 segundos (0.063 in de la caja) Sin plomo: Sí

Beneficios rápidos +
  • Envío rápido
  • Pago seguro
  • Garantía incluida
  • Soporte por WhatsApp
Beneficios clave de Chanzon IRF520N TO-220AB NMOS MOS N-Channel Power MOSFET Transistor, semiconductores de potencia de alto rendimiento (paquete de 10 unidades) +
  • Tipo de transistor: Transistor IRF 520N del MOSFET del poder del canal N de la eficacia alta NMOS.
  • Polaridad del transistor: Canal N para conmutación de alta velocidad y excelente gestión de energía.
  • Aplicación: Adecuado para diversas aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad, gestión de energía robusta como fuentes de alimentación, control de motor, control de iluminación y amplificadores de audio.
  • Paquete: Se envía en una bolsa antiestática para protección electrostática, seguridad ESD y larga vida útil.
  • El número de Modelo (ItemModelNumber)
  • IRF520N, IRF520NPBF
  • Especificación: Rendimiento superior con disipación de potencia (PD) de 48 W a 77.0 °F
  • corriente de drenaje (ID) de 9.7 A 77.0 °F
  • voltaje de drenaje de fuente (VDSS) de hasta 100 V y resistencia en la fuente de drenaje (RDS(on)) de 0.2 ohmios.
  • Aplicación: Adecuado para diversas aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad
  • gestión de energía robusta como fuentes de alimentación
  • control de motor
  • control de iluminación y amplificadores de audio.
  • Paquete: Se envía en una bolsa antiestática para protección electrostática
  • seguridad ESD y larga vida útil.
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Ficha técnica +
Fabricante
CHANZON
Dimensiones
7,09 x 5,91 x 0,51 pulgadas
SKU
B083TJ9P3H

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